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【2h】

Electronic structure of self-assembled InAs/InP quantum dots: A Comparison with self-assembled InAs/GaAs quantum dots

机译：自组装Inas / Inp量子点的电子结构：a   与自组装Inas / Gaas量子点的比较

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We investigate the electronic structure of the InAs/InP quantum dots using anatomistic pseudopotential method and compare them to those of the InAs/GaAsQDs. We show that even though the InAs/InP and InAs/GaAs dots have the same dotmaterial, their electronic structure differ significantly in certain aspects,especially for holes: (i) The hole levels have a much larger energy spacing inthe InAs/InP dots than in the InAs/GaAs dots of corresponding size. (ii)Furthermore, in contrast with the InAs/GaAs dots, where the sizeable hole $p$,$d$ intra-shell level splitting smashes the energy level shell structure, theInAs/InP QDs have a well defined energy level shell structure with small $p$,$d$ level splitting, for holes. (iii) The fundamental exciton energies of theInAs/InP dots are calculated to be around 0.8 eV ($\sim$ 1.55 $\mu$m), about200 meV lower than those of typical InAs/GaAs QDs, mainly due to the smallerlattice mismatch in the InAs/InP dots. (iii) The widths of the exciton $P$shell and $D$ shell are much narrower in the InAs/InP dots than in theInAs/GaAs dots. (iv) The InAs/GaAs and InAs/InP dots have a reversed lightpolarization anisotropy along the [100] and [1$\bar{1}$0] directions.
机译：我们使用解剖伪势方法研究InAs / InP量子点的电子结构，并将其与InAs / GaAsQDs的电子结构进行比较。我们表明，即使InAs / InP和InAs / GaAs点具有相同的点材料，它们的电子结构在某些方面也存在显着差异，尤其是对于空穴而言：（i）InAs / InP点中的空穴能级比能级大得多在相应大小的InAs / GaAs点中。 （ii）此外，与InAs / GaAs点相比，较大的孔$ p $，$ d $壳内能级分裂破坏了能级壳结构，InAs / InP QD具有清晰定义的能级壳结构， $ p $，$ d $的小级拆分，用于孔。 （iii）InAs / InP点的基本激子能量经计算约为0.8 eV（$ sim 1.55 $ m），比典型InAs / GaAs QD约低200 meV，这主要是由于晶格失配较小在InAs / InP点中。 （iii）在InAs / InP点中，激子$ P $ shell和$ D $壳的宽度比InAs / GaAs点中的窄得多。 （iv）InAs / GaAs和InAs / InP点沿[100]和[1 $ \ bar {1} $ 0]方向具有相反的光偏振各向异性。

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